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β-Sn與4H-SiC界面性質(zhì)的第一性原理計(jì)算
馬志鵬; 李昊宣; 張茗瑄; 許志武 東北石油大學(xué)材料科學(xué)與工程系; 黑龍江大慶163318; 哈爾濱工業(yè)大學(xué)先進(jìn)焊接與連接國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 黑龍江哈爾濱150001
- sic陶瓷
- sn基釬料
- 界面
- 電子結(jié)構(gòu)
- 第一性原理
摘要：為研究金屬釬料與SiC陶瓷的界面結(jié)合方式,采用基于密度泛函理論的第一性原理方法,對(duì)Sn(001)/4H-SiC(0001)界面進(jìn)行幾何優(yōu)化,得到優(yōu)化后界面體系的結(jié)構(gòu),從分離功表征結(jié)合強(qiáng)度以及電子結(jié)構(gòu)布居分析的角度解釋界面結(jié)合本質(zhì)和鍵合方式。結(jié)果表明:SiC陶瓷中C封端界面的分離功高于Si封端界面的分離功,Sn原子與C原子間形成的離子共價(jià)鍵在界面結(jié)合的成鍵中占有主要的地位。
- sic陶瓷
- sn基釬料
- 界面
- 電子結(jié)構(gòu)
- 第一性原理
摘要：為研究金屬釬料與SiC陶瓷的界面結(jié)合方式,采用基于密度泛函理論的第一性原理方法,對(duì)Sn(001)/4H-SiC(0001)界面進(jìn)行幾何優(yōu)化,得到優(yōu)化后界面體系的結(jié)構(gòu),從分離功表征結(jié)合強(qiáng)度以及電子結(jié)構(gòu)布居分析的角度解釋界面結(jié)合本質(zhì)和鍵合方式。結(jié)果表明:SiC陶瓷中C封端界面的分離功高于Si封端界面的分離功,Sn原子與C原子間形成的離子共價(jià)鍵在界面結(jié)合的成鍵中占有主要的地位。
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兵器材料科學(xué)與工程
- 預(yù)計(jì)1-3個(gè)月 預(yù)計(jì)審稿周期
- 0.46 影響因子
- 科學(xué) 快捷分類
- 雙月刊 出版周期
主管單位：中國(guó)科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì);主辦單位：中國(guó)兵工學(xué)會(huì);中國(guó)兵器工業(yè)第五二研究所
