摘要：為研究金屬釬料與SiC陶瓷的界面結(jié)合方式,采用基于密度泛函理論的第一性原理方法,對Sn(001)/4H-SiC(0001)界面進(jìn)行幾何優(yōu)化,得到優(yōu)化后界面體系的結(jié)構(gòu),從分離功表征結(jié)合強(qiáng)度以及電子結(jié)構(gòu)布居分析的角度解釋界面結(jié)合本質(zhì)和鍵合方式。結(jié)果表明:SiC陶瓷中C封端界面的分離功高于Si封端界面的分離功,Sn原子與C原子間形成的離子共價鍵在界面結(jié)合的成鍵中占有主要的地位。