摘要：針對連續(xù)離子層吸附反應法的吸附不足工藝問題進行改進。采用旋凃方式代替提拉方式的連續(xù)離子層吸附反應法研究改進后的連續(xù)離子層吸附反應法工藝條件對薄膜附著性能的影響,并且研究吸附過程中鍍膜次數(shù)、鍍膜時間、反應物的濃度對薄膜生長過程的影響。運用X射線衍射儀（XRD）對薄膜的晶相組成進行分析表征。對改進后的方法所制備薄膜的層數(shù)和晶粒大小的關系曲線進行分析。結果表明改進后的連續(xù)離子層吸附反應法在鍍膜層數(shù)為25~30層能有效制備出XRD峰值較好、晶粒較大的Cd S薄膜。