摘要：針對(duì)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)霍爾傳感器的靈敏度和采集帶寬問題,對(duì)CMOS霍爾傳感器的時(shí)間限制進(jìn)行了仿真分析。對(duì)現(xiàn)代物理模擬器對(duì)CMOS霍爾傳感器的瞬態(tài)特性進(jìn)行分析,采用CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)了方形霍爾傳感器的三維模型,通過電流輸運(yùn)模型對(duì)硅器件的磁場(chǎng)效應(yīng)進(jìn)行了數(shù)值模擬。為了分析響應(yīng)時(shí)間,對(duì)整個(gè)電路進(jìn)行了混合模SPICE物理模擬,即三維器件加偏壓方案。仿真結(jié)果表明:模型化設(shè)備的響應(yīng)時(shí)間很快,采集帶寬在兆赫范圍內(nèi)。沉降時(shí)間主要取決于傳感器的物理結(jié)構(gòu),更高濃度的N孔可以實(shí)現(xiàn)更快的霍爾器件,但這將降低傳感器的靈敏度。