首頁 > 期刊 > 自然科學(xué)與工程技術(shù) > 工程科技I > 材料科學(xué) > 材料研究與應(yīng)用 > 不同碳基體CVD SiC涂層的制備及其微觀結(jié)構(gòu)研究 【正文】
不同碳基體CVD SiC涂層的制備及其微觀結(jié)構(gòu)研究
王昊; 黃東; 何雨恬; 王秀連; 鄧暢光; 林松盛 廣東省新材料研究所; 現(xiàn)代材料表面工程技術(shù)國家工程實驗室; 廣東省現(xiàn)代表面工程技術(shù)重點實驗室; 廣東廣州510650; 湖南東映碳材料科技有限公司; 湖南長沙410083; 中南大學(xué)粉末冶金國家重點實驗室; 湖南長沙410083
- cvd
- sic
- 微觀結(jié)構(gòu)
- sic晶須
摘要：分別以高純石墨、細顆粒石墨及低密度的C/C復(fù)合材料為基體,以MTS為SiC的先驅(qū)體原料,采用化學(xué)氣相沉積工藝制備SiC涂層.通過掃描電鏡(SEM)觀察CVDSiC涂層的微觀形貌,利用X射線衍射儀(XRD)分析其晶體結(jié)構(gòu).研究發(fā)現(xiàn),在不同沉積基體上沉積的SiC晶體形貌不同.以高純石墨為基體的試樣表面基本不存在SiC晶須的生長特征;以細顆粒石墨為基體的試樣的表面發(fā)現(xiàn)了SiC晶須的生長特征,且基體內(nèi)部的SiC晶體具有一定的CVI特征,即靠近基體內(nèi)部沉積的SiC晶體逐漸由SiC晶須變?yōu)镾iC納米線;以C/C復(fù)合材料為基體的試樣內(nèi)部和表面沉積的SiC晶體表現(xiàn)出多元化的形貌,以層狀SiC晶體和SiC晶須為主,主要是由基體材料微觀結(jié)構(gòu)的多元化而導(dǎo)致沉積的微區(qū)氣氛有所不同造成的.
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