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不同碳基體CVD SiC涂層的制備及其微觀結構研究
王昊; 黃東; 何雨恬; 王秀連; 鄧暢光; 林松盛 廣東省新材料研究所; 現代材料表面工程技術國家工程實驗室; 廣東省現代表面工程技術重點實驗室; 廣東廣州510650; 湖南東映碳材料科技有限公司; 湖南長沙410083; 中南大學粉末冶金國家重點實驗室; 湖南長沙410083
- cvd
- sic
- 微觀結構
- sic晶須
摘要：分別以高純石墨、細顆粒石墨及低密度的C/C復合材料為基體,以MTS為SiC的先驅體原料,采用化學氣相沉積工藝制備SiC涂層.通過掃描電鏡(SEM)觀察CVDSiC涂層的微觀形貌,利用X射線衍射儀(XRD)分析其晶體結構.研究發現,在不同沉積基體上沉積的SiC晶體形貌不同.以高純石墨為基體的試樣表面基本不存在SiC晶須的生長特征;以細顆粒石墨為基體的試樣的表面發現了SiC晶須的生長特征,且基體內部的SiC晶體具有一定的CVI特征,即靠近基體內部沉積的SiC晶體逐漸由SiC晶須變為SiC納米線;以C/C復合材料為基體的試樣內部和表面沉積的SiC晶體表現出多元化的形貌,以層狀SiC晶體和SiC晶須為主,主要是由基體材料微觀結構的多元化而導致沉積的微區氣氛有所不同造成的.
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- sic
- 微觀結構
- sic晶須
摘要：分別以高純石墨、細顆粒石墨及低密度的C/C復合材料為基體,以MTS為SiC的先驅體原料,采用化學氣相沉積工藝制備SiC涂層.通過掃描電鏡(SEM)觀察CVDSiC涂層的微觀形貌,利用X射線衍射儀(XRD)分析其晶體結構.研究發現,在不同沉積基體上沉積的SiC晶體形貌不同.以高純石墨為基體的試樣表面基本不存在SiC晶須的生長特征;以細顆粒石墨為基體的試樣的表面發現了SiC晶須的生長特征,且基體內部的SiC晶體具有一定的CVI特征,即靠近基體內部沉積的SiC晶體逐漸由SiC晶須變為SiC納米線;以C/C復合材料為基體的試樣內部和表面沉積的SiC晶體表現出多元化的形貌,以層狀SiC晶體和SiC晶須為主,主要是由基體材料微觀結構的多元化而導致沉積的微區氣氛有所不同造成的.
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