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基于silvaco-TCAD的In0.53Ga0.47As/InP紅外探測器的仿真
陳豪; 肖清泉; 袁正兵; 王坤; 黎業羽; 史嬌娜; 謝泉; 陸書龍 貴州大學大數據與信息工程學院; 貴陽550025; 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所納米器件與應用重點實驗室; 蘇州215123
- inp倍增層
- 擊穿電壓
- 貫穿電壓
摘要：采用silvaco-TCAD研究In0.53Ga0.47As/InP SAGCM-APD光電探測器,對探測器的結構參數對器件的電場分布、擊穿電壓和貫穿電壓的影響進行仿真分析.研究表明電荷層對器件內部電場起到更好的調節作用,但過高的電荷層面密度會導致APD探測器的擊穿電壓與貫穿電壓之差減小.倍增層厚度的增加使擊穿電壓先減小后增高,貫穿電壓線性增加,同時耗盡層寬度變大,使器件電容減小.當倍增區厚度1μm、偏壓為-5V時,器件電容密度達到了4.5×10-17F/μm.反向偏置電壓為30V時,APD探測器在1.31μm和1.55μm波長下的響應度分別達到1A/W和1.1A/W.
- inp倍增層
- 擊穿電壓
- 貫穿電壓
摘要：采用silvaco-TCAD研究In0.53Ga0.47As/InP SAGCM-APD光電探測器,對探測器的結構參數對器件的電場分布、擊穿電壓和貫穿電壓的影響進行仿真分析.研究表明電荷層對器件內部電場起到更好的調節作用,但過高的電荷層面密度會導致APD探測器的擊穿電壓與貫穿電壓之差減小.倍增層厚度的增加使擊穿電壓先減小后增高,貫穿電壓線性增加,同時耗盡層寬度變大,使器件電容減小.當倍增區厚度1μm、偏壓為-5V時,器件電容密度達到了4.5×10-17F/μm.反向偏置電壓為30V時,APD探測器在1.31μm和1.55μm波長下的響應度分別達到1A/W和1.1A/W.
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