摘要：高純三氟化硼是半導體離子注入用的重要摻雜離子源,在電子工業中有著廣泛的應用。采用六西格瑪流程改善方法,通過D-定義、M-測量、A-分析、I-改進、C-控制五個階段,找出影響三氟化硼純度的主要因子,然后對因子進行改進,通過試運行后,最終將三氟化硼純度從99.5%提高到99.95%。