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GaN基功率電子器件及其應(yīng)用專輯特邀主編述評
劉揚(yáng); 楊旭 中山大學(xué)電子與信息學(xué)院; 西安交通大學(xué)電氣工程學(xué)院; 中山大學(xué)電力電子及控制技術(shù)研究所、廣東省第三代半導(dǎo)體GaN材料與器件工程技術(shù)研究中心; IEEE功率半導(dǎo)體器件及集成電路國際會議(ISPSD)技術(shù)程序委員會; IEEE電子器件學(xué)會(EDS)功率器件與集成電路委員會、中國電源學(xué)會、中國電源學(xué)會元器件專委會、中國電工學(xué)會電力電子分會、中國有色金屬學(xué)會寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會; 中國電工技術(shù)學(xué)會電力電子技術(shù)專委會、電氣節(jié)能專委會; 中國電源學(xué)會直流電源專委會
- 氮化鎵
- 功率電子器件
- 功率密度
- 通態(tài)電阻
- 開關(guān)損耗
摘要：GaN基功率電子器件因其具有開關(guān)速度快、開關(guān)頻率高、工作結(jié)溫高、通態(tài)電阻小、開關(guān)損耗低等優(yōu)勢,適合應(yīng)用于新型高效、大功率等的電力電子系統(tǒng)。國內(nèi)關(guān)于GaN基功率電子器件的研究已經(jīng)取得了較為明顯的進(jìn)展,但與發(fā)達(dá)國家相比仍有一定的差距。為此,《電源學(xué)報(bào)》特別推出了“GaN基功率電子器件及其應(yīng)用”專輯,基本涵蓋GaN功率電子器件及其應(yīng)用研究的熱點(diǎn)問題,展示了不同研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)在該領(lǐng)域的研發(fā)現(xiàn)狀,具有良好的學(xué)術(shù)研究和應(yīng)用參考價(jià)值。
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