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籽晶偏向對高純半絕緣4H-SiC晶體影響的研究
侯曉蕊; 王英民; 魏汝省; 李斌; 王利忠; 田牧; 劉燕燕; 淮珍; 王程; 王光耀 山西爍科晶體有限公司; 山西太原030024; 中國電子科技集團公司第二研究所; 山西太原030024
- 籽晶
- 晶片缺陷
- 結晶質量
- 電學性能
摘要：采用PVT法得到高純4H-SiC體單晶。研究了0°、1°、4°晶體對晶體臺階流、晶體結晶質量、晶體缺陷、晶體電學性能的影響;晶體臺階流采用奧林巴斯顯微鏡進行表征,晶體缺陷采用萊卡體系顯微鏡進行表征,晶體結晶質量采用高分辨XRD進行表征,晶體電學性能采用非接觸電阻率測試儀進行表征。實驗結果表明:4°籽晶生長的晶體缺陷最少,1°與4°籽晶生長的晶體結晶質量相當,0°籽晶生長的晶體電學性能最均勻。
- 籽晶
- 晶片缺陷
- 結晶質量
- 電學性能
摘要：采用PVT法得到高純4H-SiC體單晶。研究了0°、1°、4°晶體對晶體臺階流、晶體結晶質量、晶體缺陷、晶體電學性能的影響;晶體臺階流采用奧林巴斯顯微鏡進行表征,晶體缺陷采用萊卡體系顯微鏡進行表征,晶體結晶質量采用高分辨XRD進行表征,晶體電學性能采用非接觸電阻率測試儀進行表征。實驗結果表明:4°籽晶生長的晶體缺陷最少,1°與4°籽晶生長的晶體結晶質量相當,0°籽晶生長的晶體電學性能最均勻。
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