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    首頁 > 期刊 > 自然科學與工程技術 > 信息科技 > 無線電電子學 > 電子工業專用設備 > 硅晶片激光標識工藝參數的研究 【正文】

    硅晶片激光標識工藝參數的研究

    李靜坤; 常耀輝; 呂菲; 劉娜 中國電子科技集團公司第四十六研究所; 天津300220
    • 激光標識
    • 激光功率
    • 頻率
    • 打標速度

    摘要:介紹了應用于硅晶片激光標識的激光打標系統結構,并以光纖振鏡式激光打標機為例,探索了不同打標工藝參數的選擇對晶片激光標識效果的影響。采用單因素實驗法分別研究了不同激光打標功率、打標速度和打標頻率對硅片打標效果的影響,并分析了其影響其打標效果的原理。通過目檢和金相顯微鏡對激光標識進行觀察,確定了最佳的打標工藝,最終得到了優化的打標工藝即采用激光額定功率的45%,頻率為25kHz,打標速度為150mm/s,可得到標識清楚、深淺一致、不損傷晶片特性的激光標識。

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