摘要：Ⅲ族氮化物在光電器件方面有著廣泛的應(yīng)用。探究Ⅲ族氮化物的外延生長機(jī)制對于制備高質(zhì)量薄膜材料器件具有重要意義。本文利用球差矯正透射電子顯微鏡,揭示了金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積方法(MOCVD)生長的氮化鋁(AlN)在藍(lán)寶石(Al2O3)襯底上的界面原子結(jié)構(gòu),探究了異質(zhì)外延的生長機(jī)制。分析發(fā)現(xiàn),Al2O3襯底在氨氣的氛圍下退火后,表面率先被氮化,生成一層AlN。在進(jìn)一步生長AlN的時候,鋁(Al)原子優(yōu)先填補(bǔ)Al2O3表面高位鋁的位置,然后按照AlN的晶格結(jié)構(gòu)生長。此外,該方法生長的AlN在界面附近是非金屬(N)極性。這些發(fā)現(xiàn)加深了我們對氮化物薄膜的外延生長動力學(xué)的認(rèn)識,為更好地控制界面的成核、極性提供了有用的信息。