摘要：為了系統(tǒng)地研究Br的引入對(duì)CuBrxI1-x薄膜發(fā)光強(qiáng)度和衰減時(shí)間的影響,通過(guò)氣相沉積法在Si片上制備了CuBrxI1-x(0≤x≤1)閃爍薄膜,并測(cè)試了薄膜的發(fā)光性能和衰減曲線。結(jié)果表明,所制備的樣品具有良好的CuBrxI1-x(0≤x≤1)固溶體結(jié)晶性;相對(duì)于長(zhǎng)波段的深能級(jí)發(fā)射,CuBrxI1-x薄膜均表現(xiàn)出較強(qiáng)的光致和X射線激發(fā)近帶邊發(fā)射,且發(fā)射強(qiáng)度隨Br含量的增加而大幅增加,有利于提高閃爍器件的探測(cè)效率;不過(guò)薄膜的發(fā)光衰減時(shí)間會(huì)隨Br含量的增加而變慢(40~300 ps)。本研究工作對(duì)于通過(guò)選擇合適組分的CuBrxI1-x閃爍材料以平衡探測(cè)效率和時(shí)間響應(yīng)的測(cè)量需求具有重要意義。