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    透明低介電耐高溫PMIA/PSA復合薄膜制備與性能

    張偉; 胡祖明; 于俊榮; 王彥; 諸靜 東華大學材料科學與工程學院纖維材料改性國家重點實驗室; 上海201620
    • 聚間苯二甲酰間苯二胺
    • 聚苯砜對苯二甲酰胺
    • 介電性能
    • 熱穩定性
    • 光學性能

    摘要:將聚間苯二甲酰間苯二胺(PMIA)和聚苯砜對苯二甲酰胺(PSA)按不同比例進行共混改性,通過刮涂法制得PMIA,PSA薄膜及四種比例的PMIA/PSA復合薄膜,并通過掃描電子顯微鏡(SEM)、紫外–可見近紅外光譜、介電常數、體積電阻率等測試對薄膜的形貌結構和性能進行了表征。結果表明,這六種薄膜透光率都接近90%;體積電阻率都達到10^15Ω·cm以上,表面電阻率都達到10^16Ω以上;四種復合薄膜的介電常數在2.2~2.5,介電損耗在0.01~0.02,介電常數和介電損耗都比較低。PMIA/PSA質量比8/2時復合薄膜的力學性能最好,拉伸強度為87MPa;斷裂伸長率達到66.7%,比PMIA薄膜提高了451%,比PSA薄膜提高了39.2%,斷裂功最大,另外通過SEM,動態熱機械和差示掃描量熱測試發現此時PMIA/PSA薄膜相容性最好,因此PMIA/PSA質量比為8/2的薄膜在電子封裝領域有著更廣闊的應用前景和市場價值。

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