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    首頁 > 期刊 > 自然科學與工程技術 > 工程科技II > 電力工業 > 高電壓技術 > GIS中SF6絕緣系統缺陷放電的“0-1”現象 【正文】

    GIS中SF6絕緣系統缺陷放電的“0-1”現象

    張喬根; 李曉昂; 劉琳; 文韜; 趙軍平 西安交通大學電力設備電氣絕緣國家重點實驗室; 西安710049
    • sf6絕緣
    • 局部放電
    • 絕緣缺陷

    摘要:氣體絕緣金屬封閉開關設備(GIS)在電力系統中廣泛應用,而SF6絕緣系統缺陷放電是影響GIS安全可靠運行的關鍵因素之一。文中主要從SF6氣體絕緣系統的特點和缺陷放電特征兩方面進行綜述。首先介紹了SF6氣體絕緣的特點,并從電子碰撞截面的角度揭示了'缺陷敏感'的原因。其次,綜述了電極凸起、絕緣子附著微粒、絕緣子內部氣隙、絕緣子裂紋、自由金屬微粒這5類GIS常見缺陷在工頻電壓下的局部放電特征,發現GIS運行氣壓下缺陷放電的'0-1'現象,即外施工頻電壓(Ua)低于擊穿電壓(Ub)時,缺陷誘發的局部放電量(Q)極小且增長緩慢,呈狀態'0';但當Ua逼近Ub時,Q驟增且立即發生貫穿性放電,呈狀態'1';狀態'0'和'1'之間的轉變在很窄的電壓區間完成,Q隨Ua的變化呈階躍狀。最后,通過'駝峰曲線'、放電形態等揭示了SF6絕緣系統中缺陷放電'0-1'現象的形成機理,即高氣壓SF6氛圍中的缺陷放電的'無暈'擊穿機制。

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