MoS2/GO-g-C3N4-ZnO三元復(fù)合納米材料的制備及可見光光催化性能研究

摘要：通過水熱法制備出基于20%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))g-C3N4-ZnO的高效的三元復(fù)合材料0.2%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))MoS2-g-C3N4-ZnO(MCZ)和15%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))GO-g-C3N4-ZnO(GCZ)。采用掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射儀(XRD)、X射線光電子能譜(XPS)、光致熒光光譜(PL)、紫外-可見吸收光譜(UV-Vis)、瞬態(tài)光電流響應(yīng)對(duì)樣品進(jìn)行表征,研究了MoS2或GO的引入對(duì)ZnO晶體結(jié)構(gòu)、形貌、成分和光催化活性的影響。結(jié)果表明,MCZ和GCZ均保持ZnO的六方纖鋅礦結(jié)構(gòu),且g-C3N4為類石墨相。GO的引入可以抑制ZnO晶粒的生長,而MoS2的引入可以促進(jìn)ZnO晶粒的生長。GCZ復(fù)合材料中存在明顯的電子轉(zhuǎn)移現(xiàn)象,抑制20%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))g-C3N4-ZnO中光生電子空穴對(duì)的復(fù)合,提高其可見光催化性能。GCZ復(fù)合光催化劑的光催化活性明顯優(yōu)于20%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))g-C3N4-ZnO和MCZ。