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    MoS2/GO-g-C3N4-ZnO三元復合納米材料的制備及可見光光催化性能研究

    王寧; 馬春雨; 胡金娟; 王佳琳; 秦福文; 張慶瑜 大連理工大學物理學院三束材料改性教育部重點實驗室; 遼寧大連116024
    • mos2
    • go
    • 三元復合材料
    • 水熱法
    • 可見光催化

    摘要:通過水熱法制備出基于20%(質(zhì)量分數(shù))g-C3N4-ZnO的高效的三元復合材料0.2%(質(zhì)量分數(shù))MoS2-g-C3N4-ZnO(MCZ)和15%(質(zhì)量分數(shù))GO-g-C3N4-ZnO(GCZ)。采用掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射儀(XRD)、X射線光電子能譜(XPS)、光致熒光光譜(PL)、紫外-可見吸收光譜(UV-Vis)、瞬態(tài)光電流響應對樣品進行表征,研究了MoS2或GO的引入對ZnO晶體結構、形貌、成分和光催化活性的影響。結果表明,MCZ和GCZ均保持ZnO的六方纖鋅礦結構,且g-C3N4為類石墨相。GO的引入可以抑制ZnO晶粒的生長,而MoS2的引入可以促進ZnO晶粒的生長。GCZ復合材料中存在明顯的電子轉(zhuǎn)移現(xiàn)象,抑制20%(質(zhì)量分數(shù))g-C3N4-ZnO中光生電子空穴對的復合,提高其可見光催化性能。GCZ復合光催化劑的光催化活性明顯優(yōu)于20%(質(zhì)量分數(shù))g-C3N4-ZnO和MCZ。

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