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兩步生長(zhǎng)法制備準(zhǔn)有序氮化鎵納米線
宗楊; 宋文斌; 孫曉東; 王莉 大連東軟信息學(xué)院電子工程系; 遼寧大連116023
- 氮化鎵納米線
- 有序生長(zhǎng)
- 催化劑
摘要：利用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)方法制備準(zhǔn)有序氮化鎵納米線。以帶有氮化鎵外延層(0001)的藍(lán)寶石(Al2O3)作為襯底,表面沉積鎳金(Ni/Au)薄膜作為催化劑,三甲基鎵(TMGa)和氨氣(NH3)作為氣體源由載氣通入反應(yīng)室,在高溫條件下生長(zhǎng)出GaN納米線。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,生長(zhǎng)溫度影響納米線的表面形貌,在750℃可以生長(zhǎng)出形貌較好的納米線。催化劑層的厚度影響納米線的生長(zhǎng)模式和有序性。通過(guò)兩步生長(zhǎng)法,可以制備出較為有序的氮化鎵納米線。
- 氮化鎵納米線
- 有序生長(zhǎng)
- 催化劑
摘要：利用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)方法制備準(zhǔn)有序氮化鎵納米線。以帶有氮化鎵外延層(0001)的藍(lán)寶石(Al2O3)作為襯底,表面沉積鎳金(Ni/Au)薄膜作為催化劑,三甲基鎵(TMGa)和氨氣(NH3)作為氣體源由載氣通入反應(yīng)室,在高溫條件下生長(zhǎng)出GaN納米線。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,生長(zhǎng)溫度影響納米線的表面形貌,在750℃可以生長(zhǎng)出形貌較好的納米線。催化劑層的厚度影響納米線的生長(zhǎng)模式和有序性。通過(guò)兩步生長(zhǎng)法,可以制備出較為有序的氮化鎵納米線。
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功能材料與器件學(xué)報(bào)
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主管單位：中國(guó)科學(xué)院;主辦單位：中國(guó)材料研究學(xué)會(huì);中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
