AlGaN基日盲紫外探測器外延關鍵技術

摘要：以AlGaN為代表的第三代寬禁帶半導體材料是制備紫外探測器等光電器件的關鍵材料,是近年來國內外研究的熱點。然而由于缺乏同質外延襯底,異質外延獲得的AlGaN材料晶體質量普遍較差且高Al組分AlGaN摻雜困難,嚴重限制了紫外探測器的性能。制備高性能AlGaN基日盲紫外探測器的關鍵是外延生長高質量的AlGaN材料并實現高效摻雜。本文綜述了AlGaN基日盲紫外探測器材料外延生長的關鍵技術以及國內外研究進展等。