首頁 > 期刊 > 自然科學與工程技術 > 信息科技 > 無線電電子學 > 紅外與激光工程 > 熱應力加速試驗評定碲鎘汞焦平面陣列像元儲存壽命 【正文】
摘要:高可靠性長壽命碲鎘汞焦平面陣列像元性能參數慢慢變差退化失效,確定它的儲存壽命要用B類試驗縮短試驗時間。有效加速壽命試驗ALT或加速退化試驗ADT的恒定熱應力,應大于高溫+90℃、2 160 h。定量加速試驗前,應進行高加速應力篩選試驗HASS迫使缺陷發展,以暴露可能存在的早期故障。根據碲鎘汞紅外焦平面探測器杜瓦組件高溫儲存試驗性能退化測試數據,用統計模型對在恒定高溫應力水平下獲得的失效時間或退化特征性能參數進行轉換,得到在+25℃額定應力水平下的儲存壽命大于50年。超過3 000 h高溫儲存試驗結果表明,殘余工藝應力釋放導致試驗前1 500 h像元性能有向好的趨勢,在高溫+80℃的真空環境下烘烤20天不會造成明顯的像元性能惡化。
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