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    CMOS圖像傳感器的γ射線電離輻照實(shí)驗(yàn)研究

    劉力; 王湘江 南華大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院; 湖南衡陽(yáng)421000
    • cmos
    • aps探測(cè)器
    • 電子輻照
    • 電離效應(yīng)

    摘要:為了研究核退役裝備在核輻射環(huán)境下作業(yè)時(shí)圖像監(jiān)控設(shè)備的工作狀態(tài)等數(shù)據(jù),對(duì)用在核退役作業(yè)現(xiàn)場(chǎng)的某國(guó)產(chǎn)CMOS圖像傳感器進(jìn)行γ輻照實(shí)驗(yàn)。采集得到輻照時(shí)的γ射線對(duì)CMOS圖像傳感器所輸出的暗圖像造成的干擾數(shù)據(jù),并研究γ射線對(duì)CMOS圖像傳感器的性能參數(shù)影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:輻射射線的總劑量效應(yīng)使得傳感器中暗電流增大,傳感器輸出的圖像里脈沖顆粒噪聲與平均灰度值會(huì)隨著輻照劑量的變化而發(fā)生變化。

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