首頁(yè) > 期刊 > 自然科學(xué)與工程技術(shù) > 工程科技II > 機(jī)械工業(yè) > 機(jī)械工程師 > CMOS圖像傳感器的γ射線電離輻照實(shí)驗(yàn)研究 【正文】
摘要:為了研究核退役裝備在核輻射環(huán)境下作業(yè)時(shí)圖像監(jiān)控設(shè)備的工作狀態(tài)等數(shù)據(jù),對(duì)用在核退役作業(yè)現(xiàn)場(chǎng)的某國(guó)產(chǎn)CMOS圖像傳感器進(jìn)行γ輻照實(shí)驗(yàn)。采集得到輻照時(shí)的γ射線對(duì)CMOS圖像傳感器所輸出的暗圖像造成的干擾數(shù)據(jù),并研究γ射線對(duì)CMOS圖像傳感器的性能參數(shù)影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:輻射射線的總劑量效應(yīng)使得傳感器中暗電流增大,傳感器輸出的圖像里脈沖顆粒噪聲與平均灰度值會(huì)隨著輻照劑量的變化而發(fā)生變化。
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