首頁(yè) > 期刊 > 自然科學(xué)與工程技術(shù) > 工程科技I > 礦業(yè)工程 > 煤 > 多晶電池電學(xué)不良問(wèn)題分析 【正文】
多晶電池電學(xué)不良問(wèn)題分析
郭衛(wèi); 李雪方; 張雁東 潞安太陽(yáng)能科技有限責(zé)任公司; 山西長(zhǎng)治046000
- 漏電流irev2
- 并阻失效
- 漿料污染
摘要：在太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)過(guò)程中,不可避免地會(huì)有人工接觸硅片的情況,這樣會(huì)導(dǎo)致部分硅片降級(jí)為不良片,同時(shí),絲網(wǎng)印刷漿料污染和電池片隱裂等也會(huì)導(dǎo)致部分成品電池片因Irev2和Rsh異常而降級(jí)。文章從生產(chǎn)中人工接觸、漿料污染以及隱裂方面,研究分析了其對(duì)電性能的影響。
注：因版權(quán)方要求，不能公開(kāi)全文，如需全文，請(qǐng)咨詢雜志社
