射頻功率和沉積壓強對富硅-SiNx薄膜微結構的影響

摘要：基于等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)技術,以硅烷和高純氮氣作為反應氣體源,分別設置射頻功率為50,80,110,140,170W和沉積壓強為200,250,300,350,400Pa兩組參數沉積富硅-SiNx薄膜.結果表明,薄膜的致密性和沉積速率與射頻功率和沉積壓強都有關系,射頻功率的增加導致光學帶隙值變大,而光學帶隙值與沉積壓強成非線性關系,其二者的光學帶隙值均在硅與Si3N4薄膜的光學帶隙值之間.射頻功率的增加,導致反應室中N—N鍵斷裂更加完全,與硅原子結合形成大量的Si—N鍵,而薄膜中的Si原子含量降低,導致薄膜中含氮量增加,且樣品薄膜中Si3N4晶粒尺寸增加,表明該條件下沉積得到的是富硅-SiNx薄膜.