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二氧化碳激光的光致電阻效應(yīng)
馬聆樂(lè); 朱鵬飛; 孫旭; 趙廷儀 上海工程技術(shù)大學(xué)城市軌道交通學(xué)院; 上海201620
- 二氧化碳激光
- 多壁碳納米管
- 熱電子
- 電阻
摘要：通過(guò)激光照射可以在金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)中實(shí)現(xiàn)電阻變化,使用二氧化碳激光照射多壁碳納米管二氧化硅硅(MWNTs-SiO2-Si)結(jié)構(gòu),觀察電阻隨時(shí)間變化的瞬態(tài)響應(yīng).研究表明對(duì)硅片施加正偏壓,可以增大器件的電阻值,對(duì)硅片施加負(fù)偏壓,可以減小器件的電阻值.二氧化碳激光的功率越小,電阻達(dá)到極值所需的時(shí)間越長(zhǎng);反之,二氧化碳激光功率越大,電阻達(dá)到極值所需的時(shí)間越短.
- 二氧化碳激光
- 多壁碳納米管
- 熱電子
- 電阻
摘要：通過(guò)激光照射可以在金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)中實(shí)現(xiàn)電阻變化,使用二氧化碳激光照射多壁碳納米管二氧化硅硅(MWNTs-SiO2-Si)結(jié)構(gòu),觀察電阻隨時(shí)間變化的瞬態(tài)響應(yīng).研究表明對(duì)硅片施加正偏壓,可以增大器件的電阻值,對(duì)硅片施加負(fù)偏壓,可以減小器件的電阻值.二氧化碳激光的功率越小,電阻達(dá)到極值所需的時(shí)間越長(zhǎng);反之,二氧化碳激光功率越大,電阻達(dá)到極值所需的時(shí)間越短.
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