首頁 > 期刊 > 自然科學與工程技術(shù) > 信息科技 > 無線電電子學 > 微電子學 > 一種12位2 GS/s BiCMOS采樣保持電路 【正文】
摘要:基于130 nm BiCMOS工藝,設(shè)計了一種12位高速采樣保持電路,對電路的主要性能進行了分析。電路采用差分結(jié)構(gòu),采樣開關(guān)是開環(huán)交換射極跟隨開關(guān)。在輸入信號范圍內(nèi),緩沖器的線性度較高。采用Cadence Spectre軟件進行仿真。結(jié)果表明,當采樣率為2 GS/s,模擬輸入差分信號為992 MHz頻率、0.5Vpp幅度的正弦波時,SFDR達75.11 dB,SNDR達73.82 dB,電路功耗僅為98 mW,滿足了12位采樣保持的要求。
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