<cite id="yyiou"><tbody id="yyiou"></tbody></cite>
<cite id="yyiou"><samp id="yyiou"></samp></cite>
  • <s id="yyiou"></s><bdo id="yyiou"><optgroup id="yyiou"></optgroup></bdo>
  • <cite id="yyiou"><tbody id="yyiou"></tbody></cite>

    首頁 > 期刊 > 自然科學與工程技術(shù) > 信息科技 > 無線電電子學 > 微電子學 > 一種12位2 GS/s BiCMOS采樣保持電路 【正文】

    一種12位2 GS/s BiCMOS采樣保持電路

    孫偉; 王永祿; 楊鑫; 何基 重慶郵電大學光電工程學院; 重慶400065; 模擬集成電路國家重點實驗室; 重慶400060
    • 采樣保持電路
    • sige
    • bicmos工藝
    • 射極跟隨開關(guān)

    摘要:基于130 nm BiCMOS工藝,設(shè)計了一種12位高速采樣保持電路,對電路的主要性能進行了分析。電路采用差分結(jié)構(gòu),采樣開關(guān)是開環(huán)交換射極跟隨開關(guān)。在輸入信號范圍內(nèi),緩沖器的線性度較高。采用Cadence Spectre軟件進行仿真。結(jié)果表明,當采樣率為2 GS/s,模擬輸入差分信號為992 MHz頻率、0.5Vpp幅度的正弦波時,SFDR達75.11 dB,SNDR達73.82 dB,電路功耗僅為98 mW,滿足了12位采樣保持的要求。

    注:因版權(quán)方要求,不能公開全文,如需全文,請咨詢雜志社

    投稿咨詢 免費咨詢 雜志訂閱

    我們提供的服務(wù)

    服務(wù)流程: 確定期刊 支付定金 完成服務(wù) 支付尾款 在線咨詢
    主站蜘蛛池模板: 沐川县| 阿拉尔市| 瓦房店市| 韶关市| 秀山| 宜春市| 翁牛特旗| 鄂尔多斯市| 德昌县| 贺州市| 东安县| 安平县| 红原县| 南皮县| 修武县| 阜新| 苏尼特左旗| 金昌市| 永春县| 马关县| 华宁县| 岳阳县| 荆州市| 昌江| 洞口县| 博罗县| 道真| 清水河县| 正镶白旗| 沂源县| 连城县| 清水河县| 奉贤区| 宝丰县| 贞丰县| 绥阳县| 阿尔山市| 华安县| 疏附县| 西宁市| 神木县|