埃洛石基離子印跡材料的制備及其鎘離子傳感性能

摘要：用表面印跡聚合法制備了埃洛石納米管(HNTs)基超支化鎘離子印跡傳感材料HNTs@IIPs。用傅立葉變換紅外光譜(FTIR)、XRD、SEM、核磁及熱重等方法表征材料的結構;利用循環伏安法(cyclic voltammetry,CV)、差分脈沖伏安法(differential pulse voltammetry,DPV)及交流阻抗法(electrochemical impedance spectroscopy,EIS)等考察了HNTs@ⅡPs的電化學性能及其對鎘離子的特異性傳感性能。結果表明成功合成了HNTs@ⅡPs,且在cCd^2+≤0.125μmol·L^-1時,感應峰電流與鎘離子濃度有良好的定量關系,檢出限為0.026μmol·L^-1,印跡因子α為5.97,選擇因子β為4.97,表明HNTs@ⅡPs對Cd^2+具有專一性和強選擇性。對阻抗譜分析結果擬合得到了傳感器的電學等效電路模型,并分析闡明了傳感機理。