基于微結(jié)構(gòu)陣列基板的高效頂發(fā)射OLED器件

摘要：為了提高頂發(fā)射OELD的效率,降低電壓,基于納秒激光刻蝕技術(shù)制備了一種用于頂發(fā)射OLED的低成本可重復(fù)的方形微結(jié)構(gòu)陣列基板,在此基礎(chǔ)上制備了頂發(fā)射OLED器件。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),利用這種基板可以有效提高器件的出光效率,降低器件的驅(qū)動(dòng)電壓。其中,使用20μm的方格微結(jié)構(gòu)陣列基板的器件的最高效率達(dá)到66.7cd/A,40mA/cm~2下亮度達(dá)到20 103cd/m~2,相比于未經(jīng)刻蝕的無結(jié)構(gòu)器件分別提高9.8%和6.9%;而使用40μm的方格微結(jié)構(gòu)陣列基板的器件驅(qū)動(dòng)電壓最低,在40mA/cm~2下為9.58V,相較未經(jīng)刻蝕的無結(jié)構(gòu)器件降低了0.26V。分析表明,器件光效的提升和驅(qū)動(dòng)電壓的降低主要有兩點(diǎn)原因:首先由于基于微結(jié)構(gòu)陣列基板制備的器件中存在褶皺結(jié)構(gòu),可以破壞器件的光波導(dǎo),并且增大了器件面積而降低驅(qū)動(dòng)電壓;其次納秒激光刻蝕產(chǎn)生的光柵條紋可以提高光提取效率,同時(shí)增強(qiáng)局部電場(chǎng)以提高電極的載流子注入能力。