摘要：通過恒電位極化、電化學阻抗(EIS)和動電位掃描曲線,跟蹤監測了TA2純Ti在人工海水溶液中的電化學鈍化與特定電位的活化過程,研究了不同海水成分對該過程的影響。結果表明,在1.6 V (SCE)附近出現電流峰,有一定的活化過程。結合SEM和析氧監測結果對電流峰進行了分析,顯示1.4~1.6 V (SCE)電位范圍內形成的膜層會出現明顯缺陷,并且TA2表面沒有氣泡冒出。Mott-Schottky擬合結果顯示,在出現電流峰的電位區間,鈦表面膜的半導體性質發生了轉變。