《Journal of Semiconductors》雜志論文格式要求：
①內(nèi)容摘要與作者單位全稱間空2-3行，要求摘要內(nèi)容言簡意賅，嚴謹活潑，體現(xiàn)全文主題思想之精髓，不是文中某段落某句話的重復(fù)摘錄。
②文稿應(yīng)具有先進性、科學(xué)性、實用性和邏輯性。論點明確，資料可靠，數(shù)據(jù)準(zhǔn)確，層次清楚，文字精煉，圖表簡明，統(tǒng)計學(xué)處理方法正確、規(guī)范。
③來稿應(yīng)主題突出、論點明確、論據(jù)可靠、數(shù)據(jù)準(zhǔn)確、語言精練，具有創(chuàng)新性。
④引用國際組織機構(gòu)報告時，應(yīng)標(biāo)明機構(gòu)名，報告名，編號，第幾頁或第幾段，但聯(lián)大決議和安理會決議等可略去機構(gòu)名和報告名，直接在UN Doc.后標(biāo)出文件編號。
⑤中文題名一般不超過20個漢字，必要時可加副題名，應(yīng)避免使用非公知公用的縮略語、字符、代號以及結(jié)構(gòu)式和公式。
⑥文稿作者署名人數(shù)一般不超過5人，作者單位不超過3個。第一作者須附簡介，包括工作單位、地址、郵編、年齡、性別、民族、學(xué)歷、職稱、職務(wù)；其它作者附作者單位、地址和郵編。
⑦數(shù)字請按國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T15835-1995《出版物上數(shù)字用法的規(guī)定》書寫。計量單位按我國法定計量單位、國際單位的計量單位名稱與符號表示，生化指標(biāo)按國際單位制。
⑧參考文獻采用尾注實引方式，凡是引用他人的觀點、理論及數(shù)據(jù)必須按順序標(biāo)注出來，文后的文獻排列順序與文中對應(yīng)。
⑨稿件中的注釋請以腳注形式在當(dāng)頁頁腳標(biāo)出。引用報刊資料，請注明作者姓名、文章標(biāo)題、刊名、刊期；引用書籍資料，請注明作者姓名、書名、出版社、出版時間和頁碼；引用互聯(lián)網(wǎng)資料，請注明作者姓名、文獻名、網(wǎng)址和時間。
⑩項目背景和目標(biāo)：在文章中清晰地介紹基金項目的背景和目標(biāo)。說明該項目所屬的研究領(lǐng)域以及解決的具體問題。
基本信息
《Journal of Semiconductors》雜志是由中國科學(xué)院主管，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所;中國電子學(xué)會主辦的國內(nèi)外公開發(fā)行的學(xué)術(shù)理論期刊，創(chuàng)刊于1980年，是國內(nèi)電力領(lǐng)域具有廣泛影響力的權(quán)威刊物。
該雜志國內(nèi)刊號為11-5781/TN，國際刊號為1674-4926，現(xiàn)被CSCD 中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫來源期刊(含擴展版)、統(tǒng)計源期刊(中國科技論文優(yōu)秀期刊)、知網(wǎng)收錄(中)、維普收錄(中)、萬方收錄(中)、EI 工程索引(美)、CA 化學(xué)文摘(美)、SA 科學(xué)文摘(英)、JST 日本科學(xué)技術(shù)振興機構(gòu)數(shù)據(jù)庫(日)、Pж(AJ) 文摘雜志(俄)、劍橋科學(xué)文摘、國家圖書館館藏、上海圖書館館藏、文摘與引文數(shù)據(jù)庫、文摘雜志等權(quán)威數(shù)據(jù)庫收錄。
此外，還榮獲多項榮譽，如：全國優(yōu)秀科技期刊、中國科技期刊優(yōu)秀期刊等，這些都體現(xiàn)了該雜志在推動電力理論與實踐發(fā)展方面的重要貢獻。
欄目設(shè)置
《Journal of Semiconductors》雜志欄目涵蓋電力領(lǐng)域多個維度，包括：研究快報、研究論文、研究簡報、技術(shù)進展等。
作為一本具有較高學(xué)術(shù)水平和影響力的電力雜志，多年來一直致力于推動電力領(lǐng)域的改革與發(fā)展，為電力工作者和研究者提供了一個交流和探索的平臺，對促進我國電力事業(yè)的發(fā)展起到了積極的作用。
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